直读光谱仪-泰瑞达仪器

便携式光谱仪预燃时间和曝光时间的选择

 试样在充有气的火花室中激发，空气绝大部分被赶走，所以激发放电中选择性氧化的影响、氧化吸收紫外线的影响就比较小，但依然存在着复杂的物理化学过程，如蒸发、扩散的过程等。便携式光谱仪必须经过一定的时间后，才能达到稳定的放电，即各元素谱线的强度和相对强度更趋于稳定，此过程称为预燃阶段。但这个过程要比在空气中短些。并且对于不同的钢种，不同的元素的预燃曲线是不一的。
       便携式光谱仪对于预燃时间的选择可以采用描迹法和积分法来确定。描迹法是做出各元素的预燃曲线，综合兼顾每个元素达到稳定的时间、确定共同的予燃时间。积分法是在不同的预燃时间下，反复激发试样，观察其各元素分析结果的再现性，从而选出适当的预燃时间。对于中低合金钢预燃时间可选4—6秒；高合金钢的预燃时间可选 5—8秒；易切削钢的预燃时间可为 10—30秒。但必须指出预燃时间的长短与光源性能有关，能量大的，预燃时间就会短些。曝光时间的确定，主要取决于激发样品中元素分析的再现性好坏。曝光过程是直读光谱仪光电流向积分电容中充电过程。积分的结果可认为是取光电流的平均值，所以积分时间不要过短。为了保证分析精度，使火花放电的总次数在2000--3000 次左右。使铁和分析元素的光强值和比值比较适中。在正常分析时，曝光时间一般采用3—5秒。但必须指出，便携式光谱仪曝光时间长短与光源的能量大小有关。

（1）高灵敏度：科研级CMOS由于近**的高像元填充率而拥有用于高光谱成像系统的灵敏度优势，灵敏度好，应用于直读光谱仪，各常见金属分析检测元素元素检出限均可到0.01~10 ppm； 

（3）高阻抗：CMOS在电路设计上集成度更高，将A/D转换器集成于芯片内部，直接数字信号输出，大大降低了外围电路的复杂度，降低了整个电路的功耗；CMOS的APS**效率比较高，由于采用了新的消噪技术，输出图形信号质量比以前有许多提高，读出噪声一般为14~100个电子。耗电小，背景小，噪音小，这些都大大提高了光谱仪分析低含量元素的重复性； 

（4）数据传输速度快：从CMOS内部结构可以看出，直读光谱仪原理，CMOS的光电探测和输出放大器是在像素内部，因此它可以很灵活地将信号读出，而且CMOS光电传感器采集光信号的同时就可以取出电信号，还能同时处理各单元的图像信息，所以CMOS数据传输速度比CCD电荷耦合器快很多。

（5）成本低：科研级CMOS也是面测量，可进行全谱扫描与分析，不需要像PMT那样一个通道必须配置一根管，成本较低； 科研级CMOS与光谱仪的结合，是与质量的结合，二者相得益彰，珠联璧合。、高性价比的CMOS直读光谱仪是时代进步的产物，是市场需求的产物，是直读光谱仪行业发展的必然趋势。